铟多数与其性质类似的锌、铅、铜和锡等共生，现已发现有自然铟、硫铟铁矿(FeIn2S4)、硫铟铜矿(CuInS2)、硫铜锌铟矿[(Cu，Zn，Fe)3(In，Sn)S4]和羟铟矿[In(OH)3]等5种含铟矿物。铟在硫化矿中的含量最高，闪锌矿是主要工业来源，铜矿、方铅矿、黄锡矿与锡石也含有较高的铟，但由于产量极少，非常分散，不能作为直接生产铟的原料，一般是从锌、铅、锡等重金属冶炼的副产物中回收生产。由于稀散金属离子在化学性质上有许多相似之处，造成分离、富集、回收上的困难，近年来，随着铟需求量不断增加，对于铟的富集、回收进行了很多的研究。
世界上铟产量的90% 来自铅锌冶炼厂的副产物。铟的冶炼回收方法主要是从铜、铅、锌的冶炼浮渣、熔渣及阳极泥中通过富集加以回收。根据回收原料的来源及含铟量的差别，应用不同的提取工艺，达到最佳配置和最大收益。常用的工艺技术有氧化造渣、金属置换、电解富集、酸浸萃取、萃取电解、离子交换、电解精炼等。当前较为广泛应用的是溶剂萃取法，它是一种高效分离提取工艺。离子交换法用于铟的回收，还未见工业化的报导。在从较难挥发的锡和铜内分离铟的过程中，铟多数集中在烟道灰和浮渣内。在挥发性的锌和镉中分离时，铟则富集于炉渣及滤渣内。
平度废旧铟丝回收之氧化铟粉体的特征
所制的氧化铟粉体作为缓蚀剂，对提高电池电性能和抑制气体产生的作用是明显的，与进口氧化铟粉体样品相当，达到了标准电池的标准。由此还可以拓展到水系锌离子电池的负极缓蚀剂和消气剂。
能将多种类金属纳米粉体稳定量产的EEM制备技术，很好地解决了其他生产工艺（如液相法、研磨法等）产品低纯度、低活性、低均匀度、大粒径等问题。复朗施纳米科技有限公司通过大量实验，依照不同金属（合金）导电率、比重等理化特性总结归纳出完整的脉冲高压冲击指标体系，在实现精准制备不同种类、高纯度、同粒径分布的纳米粉体方面有着非常丰富和纯熟的经验，并且在10-100纳米范围区间内做得非常出色。
平度废旧铟丝回收分析铟的用处：
铟称得上“合金的维生素”，其用途广泛，主要有以下几种主要用途：
1、 铟因其光渗透性和导电性强，主要用于生产ITO靶材（用于生产液晶显示器和平板屏幕）这一用途是铟锭的主要消费领域，占全球铟消费量的70%。
2、 电子半导体领域，占全球消费量的12%。
3、 焊料和合金领域占12%。
4、 研究行业占6%。
除此之外，铟还可以用作军舰或客轮上的反光镜、原子能工业中的监控剂量材料、无汞碱性蓄电池中的添加剂、防雾化设备（如防雾灯）、无铅焊料中的钎焊料以及机械轴承等方面。
平度废旧铟丝回收之粗铟纯物质沸点判定
根据粗铟中各杂质元素的沸点不同，我们可以判定是否可以采用真空蒸馏的方法对粗铟中的杂质进行分离。低沸点的组分通常比高沸点的组分容易蒸发，在蒸馏过程中低沸点的组分挥发进入气相，而高沸点的组分则往往残留于液相当中，两者沸点差越大，越容易分离。
可以初步判断，杂质元素As、Cd、Zn、Ti、Pb的沸点低于In的沸点，在蒸馏过程中优先In挥发进入气相；而Sn、Cu、Al、Fe、Ni的沸点高于In的沸点，在蒸馏过程中基本不挥发，残余在液相中。但由于杂质元素存在使得各组分的沸点发生改变，因此，此方法只能初步判断各组分能否分离。
平度废旧铟丝回收之铟市价格稳定 粗铟一量难求
铟市市场活跃度逐渐增强，与上周相比，有明显改善。无锡电子盘逐步上行，现货价格虽波动不大，但厂家报价重心逐步上移。目前商家对后市信心稍有改观，铟市处于半活跃状态。
粗铟市场：粗铟在原料供应紧张、能耗双控、环保事故、限电限产等多重因素干扰下，云南地区产量下滑、内蒙古产量不及预期，可流动现货紧张，可谓一量难求，持货商持价意愿坚定，目前粗铟不含税报价930-970元/千克左右。
精铟市场：现货市场交易虽不佳，据部分生产厂商反馈，在粗铟原料紧缺，现货紧张刺激下，下游精铟成交价同上周相比稍有上调，商家对后市信心增强。
目前富宝精铟含税报价1140-1180元/千克。预计下周铟价稳中有增，具体需关注后市供需变化。 外市，周三晚外媒铟含税报价190一220（+10）美元/千克。
平度废旧铟丝回收之通过低溅射电压制备ITO薄膜的工艺和方法
1、低电压溅射制备ITO薄膜由于ITO薄膜本身含有氧元素，磁控溅射制备ITO薄膜的过程中，会产生大量的氧负离子，氧负离子在电场的作用下以一定的粒子能量会轰击到所沉积的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的结晶结构和晶体状态造成结构缺陷。溅射的电压越大，氧负离子轰击膜层表面的能量也越大，那么造成这种结构缺陷的几率就越大，产生晶体结构缺陷也越严重，从而导致了ITO薄膜的电阻率上升，一般情况下，磁控溅射沉积ITO薄膜时的溅射电压在-400V左右，如果使用一定的工艺方法将溅射电压降到-200V以下，那么所沉积的ITO薄膜电阻率将降低50%以上，这样不仅提高了ITO薄膜的产品质量，同时也降低了产品的生产成本。
2、两种在直流磁控溅射制备ITO薄膜时，降低薄膜溅射电压的有效途径磁场强度对溅射电压的影响当磁场强度为300G时，溅射电压约为-350v；但当磁场强度升高到1000G时，溅射电压下降至-250v左右。一般情况下，磁场强度越高、溅射电压越低，但磁场强度为1000G以上时，磁场强度对溅射电压的影响就不明显了。因此为了降低ITO薄膜的溅射电压，可以通过合理的增强溅射阴极的磁场强度来实现。RF+DC电源使用对溅射电压的影响为了有效的降低磁控溅射的电压，以达到降低ITO薄膜电阻率的目的，可以采用了一套特殊的溅射阴极结构和溅射直流电源，同时将一套3KW的射频电源合理的匹配叠装在一套6KW的直流电源上，在不同的直流溅射功率和射频功率下进行降低ITO薄膜溅射电压的工艺研究。当磁场强度为1000G，直流电源的功率为1200W时，通过改变射频电源的功率，经大量的工艺实验得出：“当射频功率为600W时，ITO靶的溅射电压可以降到-110V”的结论。因此，RF+DC新型电源的应用和特殊溅射阴极结构的设计也能有效的降低ITO薄膜的溅射电压，从而达到降低薄膜电阻率的目的。
3、降低ITO薄膜电阻率的新沉积方法-HDAP法HDAP法是利用高密度的电弧等离子体（HDAP）放电轰击ITO靶材，使ITO材料蒸发，沉积到基体材料上形成ITO薄膜。由于高能量电弧离子的作用导致ITO粒子中的In、Sn达到完全离化，从而增强沉积时的反应活性，达到减少晶体结构缺陷，降低电阻率的目的。 利用同样成分的ITO材料，其它工艺条件保持一样，并在同样的基片温度下，分别进行“DC磁控溅射”、“DC+RF磁控溅射”、“HDAP法制备ITO薄膜”的实验。
实验结果可以看出，利用HDAP法能获得电阻率较低的ITO薄膜，尤其是在基片温度不能太高的材料上制备ITO薄膜时，使用HDAP法制备ITO薄膜可以得到较理想的ITO薄膜。基片温度到350℃左右时，这三种沉积方法对ITO薄膜电阻率的影响较小。
通过扫描电镜对磁控溅射和HDAP法制备的ITO薄膜进行了微观分析。很明显HDAP法制备的ITO薄膜表面平坦、均匀。HDAP法制备ITO薄膜主要是针对基体材料不能加热，同时又要求ITO薄膜的电阻率较低的制成比较适用。
平度废旧铟丝回收之高纯铟的制备低卤化合物法
将铟转化为 I n C l 来纯化铟是最方便的。I n C l 的特征是能歧化为铟和 I n c l 3 ， 在水溶液中歧化程度更大，为此， 用水处理粉碎后的 I n C l 。为防止铟歧化后的I n c l 1 水解， 事先加酸使水酸化， 洗涤沉淀铟， 然后烧熔铸成锭_ l 。低卤化合物法易于合成， 效果好。
但是，至今还未能控制好 I n C l 歧化析出铟的速度， 导致析出的铟不是小的晶体( 小晶体容易过滤) ， 而是海绵铟( 包含有较多的母液) 。所得的海绵铟需借助于机械压密。然后在甘油层下熔化， 铟中的残留母液进入甘油相， 方可得到高纯铟锭。
