平度铟泥回收之影响ITO薄膜导电性能的因素 

  ITO薄膜的面电阻（R□）、膜厚（d）和电阻率（ρ）三者之间是相互关联的，下面给出了这三者之间  的计算公式。即  　　R□=ρ/ d 

  （1）由公式（1）可以看出，为了获得不同面电阻（R□）的ITO薄膜，实际上就是要获得不同的膜厚和电阻  率。一般来讲，制备ITO薄膜时要得到不同的膜层厚度比较容易，可以通过调节薄膜沉积时的沉积速率和  沉积的时间来制取所需要膜层的厚度，并通过相应的工艺方法和手段能进行精确的膜层厚度和均匀性控制。而ITO薄膜的电阻率（ρ）的大小则是ITO薄膜制备工艺的关键，电阻率（ρ）也是衡量ITO薄膜性能的一项重要指标。公式（2）给出了影响薄膜电阻率（ρ）的几种主要因素 ρ=m*/ne2τ (2) 　　式（2）中，n、τ分别表示载流子浓度和载流子迁移率。当n、τ越大，薄膜的电阻率（ρ）就越小，反之亦然。而载流子浓度（n）与ITO薄膜材料的组成有关，即组成ITO薄膜本身的锡含量和氧含量有关，为了得到较高的载流子浓度（n）可以通过调节ITO沉积材料的锡含量和氧含量来实现;而载流子迁移率（τ）则与ITO薄膜的结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关，为了得到较高的载流子迁移率（τ）可以合理的调节薄膜沉积时的沉积温度、溅射电压和成膜的条件等因素。

  所以从ITO薄膜的制备工艺上来讲，ITO薄膜的电阻率不仅与ITO薄膜材料的组成(包括锡含量和氧含量)有关，同时与制备ITO薄膜时的工艺条件（包括沉积时的基片温度、溅射电压等）有关。有大量的科技文献和实验分析了ITO薄膜的电阻率与ITO材料中的Sn、O2元素的含量，以及ITO薄膜制备时的基片温度等工艺条件之间的关系。

平度铟泥回收之铟汞齐电解法

  由于铟在汞中有较大的溶解度( 7 0 . 3 %， 铟的原子百分数) ， 而其它杂质元素难溶于汞， 故可用此法来精炼铟。

  G a u m a n n ¨ 刮最先提出用汞齐电解法精炼铟， 发现该方法制得铟纯度高， 但同时也发现该方法不能通过一次电解将杂质降低到需要的范围。K o z r m L l 采用阶梯式双性汞齐电极和点阴极的电解槽进行多次精炼， 可使杂质含量进一步降低。铟汞齐电解法的优点有： 

  ① 使用铟汞齐电极， 由于杂质扩散速度快， 可避免电位较正的杂质在阳极表面累积。

  ② 杂质元素有一部分不溶于汞， 而铟能较好地溶于汞， 在阳极过程中即电解汞齐时， 铟又能和杂质较好分离。

  ③纯度比固体铟阳极电解法的纯度高。

  但该法也有它的不足之处：

  ①铟对汞具有高亲和性，导致难以除去汞。

  ②高温除汞造成产品容易被容器材料污染。

  ③必须利用一系列其他高纯试剂。

  ④汞具有毒性。

平度铟泥回收之氧化铟锡的要点

1、随氧气流量的增加，平行于薄膜表面之相对压应力随之增加，可能是氧空位的减少和粒子轰击效果。

2、镀层的破坏型态为一完全附着于基材之同形状的半圆形裂痕轨迹，为一张应力破坏。

3、随着氧气流量的增加镀层附着性增加，系因内应力的影响。而随着厚度的增加，受到之剪力越大，造成镀层附着性降低。

平度铟泥回收之铟在焊料和合金领域的应用  

  许多合金在掺入少量的铟之后，可以提高合金的强度、提高其延展性、提高其抗磨损与抗腐蚀的性能等，从而使铟得到了“合金的维生素”这样的美名，也有人称之为“奇妙的铟效应”。  图片  铟合金可以用作太阳能电池的生产。

  铜铟镓硒薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，该电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观有较高要求场所的理想选择，如大型建筑物的玻璃幕墙，在现代化高层建筑等领域有很大市场。  

  由于延展性（可塑性）极好、蒸气压低，又能够粘附在多种材料之上，所以它被广泛用作高空仪器和宇航设备中的垫片或内衬层材料。铟箔常用作超声波线性阻滞的接触器。  

  在原子能工业中，铟用于制造中子的指示剂。许多铟的合金，常用于制造原子核反应堆中的控制棒。铟还是制造中子检测器的优良材料，并可以与金属镓相媲美。  

  金属铟在工业上最初的应用领域是制造工业轴承，在这方面的用途延续至今。轴承的表面镀上铟，轴承的使用年限比普通镀层的轴承延长5倍之多。铟和镓的合金可以对滑动元件起润滑作用因此也被用于电动真空仪器中。