胶州铟渣回收之铟价的走势及与HJT产业链的关系
铟价与HJT产业链的关联从2020年8月开始。2020年8月22日，山煤国际公告布局HJT产业链，一期3GW。铟价从2020年8月21日开始出现暴涨，一路从960元/kg暴涨至9月23日的1460元/kg。虽然，山煤国际最终并未实质性的推进HJT项目，但铟价从此再也没有回到过3位数的水平。
本轮铟价的暴涨从2021年7月26日开始，第一波上涨从1160元/kg上涨至8月6日的1350元/kg。这一轮的上涨主要原因与光伏某182组件龙头企业大规模招募HJT团队并计划启动1GW项目（远期规划50GW）相关，上述消息在股票市场上的催化是从8月4日开始，而在商品市场上的最大涨幅也是在8月4日到8月6日这三天。
本轮铟价上涨的第二波则是从8月23日开始，3天内铟价从1310元/kg上涨至1620元/kg并创3年新高。这一轮上涨的主要原因是SOLARZOOM光储亿家与东吴机械所举办的HJT异质结商业化高峰论坛，这一次HJT产业链的高峰论坛是HJT低成本商业化量产后的首次行业峰会。在会上，SOLARZOOM光储亿家及迈为股份先后讨论了HJT产业链与铟之间的关系。在铟价的这一轮上涨中，股票市场的反应是从8月19日开始的，到8月25日的短短5个交易日内HJT指数上涨了27%。铟价上涨的启动虽然晚了2个交易日，但金属价格的涨幅也高达24%。
胶州铟渣回收之中国精铟生产工艺简介：
目前精铟制取主要有两种来源，根据不同的制取来源不同可以分为原生铟和再生铟。原生铟的主要原料为闪锌矿、方铅矿等含铟精矿经冶炼后得到的粗锌、粗铅、炉渣、烟尘、合金、阳极泥、浸出渣、溶液等。再生铟则是从ITO靶材废料以及含铟半导体切磨废料、废弃件、合金加工废料、废催化剂中回收提炼，此外还包括废弃含铟的终端产品中的回收提炼。
目前，世界上精铟生产的主要提取工艺和主流提取工艺技术就是萃取-电解法。其原则工艺流程是：含铟原料→富集→化学溶解→净化→萃取→反萃取→锌（铝）置换→海绵铟→电解精炼→精铟。
胶州铟渣回收之铟的基础知识
铟属于稀散金属，熔点156.61℃，沸点2080℃，具有质软、延展性好、强光投性和导电性等特点。铟的可塑性强，有延展性，可压成极薄的金属片。
铟可以与许多金属形成合金，制成化合物半导体、光电子材料、特殊合金、新型功能材料以及有机金属化合物等，对应下游是半导体、焊料、整流器、热电偶。
胶州铟渣回收之通过低溅射电压制备ITO薄膜的工艺和方法
1、低电压溅射制备ITO薄膜由于ITO薄膜本身含有氧元素，磁控溅射制备ITO薄膜的过程中，会产生大量的氧负离子，氧负离子在电场的作用下以一定的粒子能量会轰击到所沉积的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的结晶结构和晶体状态造成结构缺陷。溅射的电压越大，氧负离子轰击膜层表面的能量也越大，那么造成这种结构缺陷的几率就越大，产生晶体结构缺陷也越严重，从而导致了ITO薄膜的电阻率上升，一般情况下，磁控溅射沉积ITO薄膜时的溅射电压在-400V左右，如果使用一定的工艺方法将溅射电压降到-200V以下，那么所沉积的ITO薄膜电阻率将降低50%以上，这样不仅提高了ITO薄膜的产品质量，同时也降低了产品的生产成本。
2、两种在直流磁控溅射制备ITO薄膜时，降低薄膜溅射电压的有效途径磁场强度对溅射电压的影响当磁场强度为300G时，溅射电压约为-350v；但当磁场强度升高到1000G时，溅射电压下降至-250v左右。一般情况下，磁场强度越高、溅射电压越低，但磁场强度为1000G以上时，磁场强度对溅射电压的影响就不明显了。因此为了降低ITO薄膜的溅射电压，可以通过合理的增强溅射阴极的磁场强度来实现。RF+DC电源使用对溅射电压的影响为了有效的降低磁控溅射的电压，以达到降低ITO薄膜电阻率的目的，可以采用了一套特殊的溅射阴极结构和溅射直流电源，同时将一套3KW的射频电源合理的匹配叠装在一套6KW的直流电源上，在不同的直流溅射功率和射频功率下进行降低ITO薄膜溅射电压的工艺研究。当磁场强度为1000G，直流电源的功率为1200W时，通过改变射频电源的功率，经大量的工艺实验得出：“当射频功率为600W时，ITO靶的溅射电压可以降到-110V”的结论。因此，RF+DC新型电源的应用和特殊溅射阴极结构的设计也能有效的降低ITO薄膜的溅射电压，从而达到降低薄膜电阻率的目的。
3、降低ITO薄膜电阻率的新沉积方法-HDAP法HDAP法是利用高密度的电弧等离子体（HDAP）放电轰击ITO靶材，使ITO材料蒸发，沉积到基体材料上形成ITO薄膜。由于高能量电弧离子的作用导致ITO粒子中的In、Sn达到完全离化，从而增强沉积时的反应活性，达到减少晶体结构缺陷，降低电阻率的目的。 利用同样成分的ITO材料，其它工艺条件保持一样，并在同样的基片温度下，分别进行“DC磁控溅射”、“DC+RF磁控溅射”、“HDAP法制备ITO薄膜”的实验。
实验结果可以看出，利用HDAP法能获得电阻率较低的ITO薄膜，尤其是在基片温度不能太高的材料上制备ITO薄膜时，使用HDAP法制备ITO薄膜可以得到较理想的ITO薄膜。基片温度到350℃左右时，这三种沉积方法对ITO薄膜电阻率的影响较小。
通过扫描电镜对磁控溅射和HDAP法制备的ITO薄膜进行了微观分析。很明显HDAP法制备的ITO薄膜表面平坦、均匀。HDAP法制备ITO薄膜主要是针对基体材料不能加热，同时又要求ITO薄膜的电阻率较低的制成比较适用。
胶州铟渣回收关于废铟的发现：
在自然界中未曾发现过游离态的铟单质，1863年，德国的赖希和李希特，用光谱法研究闪锌矿，发现新的元素，即铟。
铊被发现和取得后，德国弗赖贝格（Freiberg）矿业学院物理学教授赖希由于对铊的一些性质感兴趣，希望得到足够的金属进行实验研究。于是他在1863年开始在夫赖堡希曼尔斯夫斯特出产的锌矿中寻找这种金属。这种矿石所含主要成分是含砷的黄铁矿、闪锌矿、辉铅矿、硅土、锰、铜和少量的锡、镉等。赖希认为其中还可能含有铊。虽然实验花费了很多时间，他却没有获得期望的元素。但是他得到了一种不知成分的草黄色沉淀物。他认为是一种新元素的硫化物。只有利用光谱进行分析来证明这一假设。可是赖希是色盲，只得请求他的助手H.T.李希特进行光谱分析实验。李希特在第一次实验就成功了，他在分光镜中发现一条靛蓝色的明线，位置和铯的两条蓝色明亮线不相吻合，就从希腊文中“靛蓝”（indikon）一词命名它为indium（铟）（In）。两位科学家共同署名发现铟的报告。分离出金属铟的还是他们两人共同完成的。他们首先分离出铟的氯化物和氢氧化物，利用吹管在木炭上还原成金属铟，于1867年在法国科学院展出。
